В работе приведены результаты исследования влияния температуры подложки и предварительной деформации подложек на электрофизические и деформационные характеристики пленочных структур на основе (Bi,Sb)₂Те₃. 

конденсат, деформация, тензочувствителность, тензодачик, подложка, тензорезистор, термопара, полупроводники.

Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем / Под ред. А.Я. Шика. М.: Наука, 2001. – 160 с.

Дубровский В.Г., Цырлин Г.З.. Кинетика роста пленок при зародышевом механизме формирования слоев // Физика и техника полупроводников. 2005. Т.39, № 11. – C. 1312−1319.

Онаркулов К.Э., Юлдашев А.А., Азимов Т.М, Йўлдошқори Ш.А Висмут-сурма теллурид юпқа пардаларнинг электрофизик хоссаларига технологик жараённинг таъсири. ФарДУ илмий хабарлар. №2., 2017 й. Б. 32-36.

Онаркулов К.Э. Влияние одноосной деформации на проводимость фотопроводимость пленок PbS. Ф.Т.П.1996.Т.30.В.1. С. 82-86.

Принц В. Я., Голод С. В.. Упругие нанооболочки на основе кремниевых пленок: формирование, свойства и практическое применение. // Прикладная механика и техническая физика. 2006. т. 47, №6. С.114-128.

Коваленко Д.А., Петров В.В. Исследование внутренних механических напряжений, возникающих в структурах Si-SiO2-ЦТС. Journal of nano- and electronic physics. 2015. Vol. 7 No 3, 03036(5pp).

Онаркулов К.Э. Ахмедов М.М. Расулов Р.Т. Температурные и частотные зависимости кинетических коэффицентов тензочувствительных пленок Bi2xSbx2Te3. Узбекский физический журнал V4. № 4. 2002. С.67-73.

Онарқулов, К. Э., & Зайнолобидинова, С. М. (2022). СТРУКТУРНЫХ ОСОБЕННОСТЕЙ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ПОЛУПРОВОДНИКОВ НА ФОРМИРОВАНИЕ ЭФФЕКТА АНОМАЛЬНОГО ФОТОНАПРЯЖЕНИЯ. PEDAGOGICAL SCIENCES AND TEACHING METHODS, 13(2), 228-232.

Зайнолобидинова, С. М. (2018). Формирование эффекта аномального фотонапряжения поликристаллических структурах. Интеграция наук, (4), 38-41.

Атакулов, С. Б., Зайнолобидинова, С. М., Набиев, Г. А., & Отаджонов, С. М. (2011). К теории аномальных фотоэлектрических и фотомагнитных эффектов в полупроводниковых пленках. Узбекский физическийжурнал, 13(4), 255-260.

Зайнолобидинова, С., & Рахимова, Л. (2022). КОНЦЕНТРАЦИОННАЯ ЗАВИСИМОСТИ ПРОЗРАЧНОСТИ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА. Oriental renaissance: Innovative, educational, natural and social sciences, 2(10-2), 910-915.

Egamberdiyevich, O. K., Malikovna, Z. S., Ugli, X. M. B., & Abdusattor-Ugli, E. E. (2021). Used for effect interpretation abnormal photo voltage. ACADEMICIA: AN INTERNATIONAL MULTIDISCIPLINARY RESEARCH JOURNAL, 11(2), 783-786.

Atakulov, S. B., Zaynolobidinova, S. M., Otajonov, S. M., & Tukhtamatov, O. A. (2011). The penetrability of potential barrier on grain boundaries in semiconductor polycrystals. Uzbekiston Fizika Zhurnali, 13(5), 334-340.

Зайнолобидинова, С. М., & Тўйчиева, М. К. (2022). ПОЛИКРИСТАЛЛ СТРУКТУРАЛИ МАТЕРИАЛЛАРДА ЧЕГАРА СОҲАЛАРИНИНГ ЭЛЕКТРОНЛАРНИНГ КЎЧИРИЛИШИГА ТАЪСИРИ. Oriental renaissance: Innovative, educational, natural and social sciences, 2(5), 372-374.

Зайнолобидинова, С. М. (2017). СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОЛИКРИСТАЛЛОВ И КЕРАМИК И ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ МЕЖЗЕРЕННЫХ ГРАНИЦ. In Успехи науки 2017 (pp. 10-12).

Зайнолобидинова, С. М., & Хамракулова, М. (2017). МОДЕЛЬ И ОСОБЕННОСТИ РАСЧЕТА ВЫСОТЫ БАРЬЕРА НА ГРАНИЦА ЗЕРЕН. In Успехи науки 2017 (pp. 12-15).

Алимов, Н. Э., Зайнолобиддинова, С. М., Отажонов, С. М., Халилов, М. М., Юсупова, Д. А., & Якубова, Ш. (2016). Змінювання потенційних бар’єрів низькорозмірних тонких плівок p-CdTe в умовах зовнішніх впливів. Журнал фізики та інженерії поверхні, 1(1), 52-56.